武漢新特光電技術(shù)有限公司專業(yè)從事RTP電光晶體，擁有晶體生長，切割，拋光，鍍膜，檢測等全系列尖端設(shè)備和經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員和生產(chǎn)人員。其產(chǎn)品包括RTP電光元件,RTP晶體,iRTP普克爾盒,iRTP晶體。我們晶體產(chǎn)品以杰出的品質(zhì)與穩(wěn)定性著稱，可接受不同尺寸及特殊要求的定制方案。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于量子信息，激光產(chǎn)業(yè)，航空航天，通信，醫(yī)療等領(lǐng)域。
我們一站式供應(yīng)各種類型的RTP電光元件,RTP晶體,iRTP普克爾盒,iRTP晶體，可提供選型、技術(shù)指導(dǎo)、安裝培訓(xùn)、個性定制等全生命周期、全流程服務(wù)，歡迎聯(lián)系我們的產(chǎn)品經(jīng)理！
RTP晶體(磷酸鈦氧銣,RbTiOPO4)是KTP晶體的同構(gòu)晶體，具有機(jī)械與化學(xué)性能穩(wěn)定、非線性光學(xué)系數(shù)大、電光系數(shù)高、激光損傷閾值高、介電常數(shù)高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應(yīng)低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優(yōu)點。主要應(yīng)用在非線性和電光領(lǐng)域，中小功率激光器是其重要應(yīng)用市場，例如用來制造高重復(fù)頻率調(diào)Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG激光器等；電光調(diào)制是RTP晶體的重要功能，利用此功能可用來制造電光Q開關(guān)、幅度和相位調(diào)制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產(chǎn)品，近年來，RTP晶體已經(jīng)成為電光Q開關(guān)的熱門材料，廣泛應(yīng)用在工業(yè)激光加工、激光醫(yī)療、激光測距、科學(xué)勘探、國防軍工等領(lǐng)域。
RTP是雙軸晶體，在制造電光器件時，為避免環(huán)境溫度變化對晶體折射率造成影響，通常采用體積大小與性能參數(shù)一致的兩塊晶體光軸彼此垂直配對使用。這樣的雙晶結(jié)構(gòu)器件可以在-50℃-+70℃環(huán)境中穩(wěn)定工作 (但需保持兩塊晶體的溫場一致）。同時，雙晶串聯(lián)使器件的調(diào)制電壓進(jìn)一步減半，使其更加適用于軍用激光測照器和醫(yī)療激光器。RTP電光元件采用熱補償雙晶結(jié)構(gòu)組裝，其中兩塊匹配的晶體置于傳播軸（X 或 Y）上，其中一塊旋轉(zhuǎn) 90 度（下圖）。
主要優(yōu)勢
低半波調(diào)制電壓需求，使電光元件設(shè)計更加緊湊
高介電常數(shù)和電阻率，上升/下降時間和脈寬<1ns，可實現(xiàn)快速操作
接收角度寬，工作溫度范圍廣(-50℃~70℃)
內(nèi)部質(zhì)量均勻，消光比高，插入損耗小，激光損傷閾值高達(dá)1GW/cm2@1064nm, 10ns脈沖
極低的壓電振鈴效應(yīng)，調(diào)制頻率可達(dá)1MHz，配套各種高壓驅(qū)動，支持高頻運轉(zhuǎn)。
無潮解，易于處理，無需覆蓋在500~3000nm光譜范圍內(nèi)，很適用于做激光的電光調(diào)制
波長為1064nm時吸收損耗極低
極高的均勻性：電光元件標(biāo)準(zhǔn)通光面可達(dá)15x15mm2
常見應(yīng)用
電光Q開關(guān)、脈沖選擇器、相位調(diào)制器、振幅調(diào)制器、腔倒空器、電光快門、衰減器 & 濾波器。
RTP晶體產(chǎn)品系列
我們的RTP晶體采用獨特的熔鹽提拉法生長技術(shù)和鍍膜技術(shù)，是500nm~3000nm光譜范圍內(nèi)電光應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料，配套各種高壓驅(qū)動，支持高頻運轉(zhuǎn)，出色性能使其成為軍事、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用中各種激光系統(tǒng)的可靠元件。我們提供單個RTP元件(用于相位調(diào)制器)、熱補償匹配的一對RTP元件、即插即用電光組件(帶/不帶外殼)，并儲備了充足的優(yōu)質(zhì)原晶，可依使用要求訂制各種RTP晶體電光調(diào)制器件。
RTP晶體電光開光采用溫度補償式設(shè)計結(jié)構(gòu)，每個電光開關(guān)由兩塊RTP晶體構(gòu)成。 由于RTP具有高電阻率(約1012Ω·cm)和高抗光損傷閾值等獨特性能，RTP晶體電光開關(guān)因此也具備以下優(yōu)異性能:
高抗光損傷閾值
無壓電振蕩效應(yīng)
低插入損耗
自動溫度補償
不潮解
RTP電光Q開關(guān)典型規(guī)格（典型尺寸）
| 透過范圍 | 500-3000nm |
| 透過率@1064nm | ＞99% |
| 半波電壓 | 3.6kV(9x9x10mm Q開關(guān)) |
| 消光比 | 高達(dá)30dB |
| 有效口徑 | 1.5mm x 1.5mm~15mm x 15mm |
| 晶體長度 | 高達(dá)50mm |
| 接收角 | <4° |
| 標(biāo)準(zhǔn)增透膜 | R<0.2% |
| 損傷閾值 | 高達(dá)1GW/cm2@1064 nm, 10 ns 脈沖或10J/cm2 |
RTP晶體型號定義規(guī)則
型號：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W
Ty ‐ 晶體類別: R (RTP)
D ‐ 電光器件: Q (電光Q)，M (雙晶結(jié)構(gòu))，或S (單晶結(jié)構(gòu))
O ‐ 晶體切割方向: X / Y / Z
Cr ‐ 晶體截面 [mm]
L ‐ 晶體長度 [mm]
E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]
W ‐ 工作激光波長 [nm]
| 晶體型號 | 晶體尺寸[mm] | 半波電壓(kV) | 晶體型號 | 晶體尺寸 | 半波電壓(kV) |
| R-Q-Y-020-5-20-1064 | 2 x 2 x 5 | 1.3 | R-Q-Y-020-10-20-1064 | 2 x 2 x 10 | .66 |
| R-Q-Y-030-5-20-1064 | 3 x 3 x 5 | 2.0 | R-Q-Y-030-10-20-1064 | 3 x 3 x 10 | .99 |
| R-Q-Y-040-5-20-1064 | 4 x 4 x 5 | 2.6 | R-Q-Y-040-10-20-1064 | 4 x 4 x 10 | 1.3 |
| R-Q-Y-050-5-20-1064 | 5 x 5 x 5 | 3.3 | R-Q-Y-050-10-20-1064 | 5 x 5 x 10 | 1.7 |
| R-Q-Y-060-5-20-1064 | 6 x 6 x 5 | 4.0 | R-Q-Y-060-10-20-1064 | 6 x 6 x 10 | 2.0 |
| R-Q-X-020-5-20-1064 | 2 x 2 x 5 | 1.6 | R-Q-X-020-10-20-1064 | 2 x 2 x 10 | .79 |
| R-Q-X-030-5-20-1064 | 3 x 3 x 5 | 1.6 | R-Q-X-030-10-20-1064 | 3 x 3 x 10 | 1.2 |
| R-Q-X-040-5-20-1064 | 4 x 4 x 5 | 1.6 | R-Q-X-040-10-20-1064 | 4 x 4 x 10 | 1.6 |
| R-Q-X-050-5-20-1064 | 5 x 5 x 5 | 1.6 | R-Q-X-050-10-20-1064 | 5 x 5 x 10 | 2.0 |
| R-Q-X-060-5-20-1064 | 6 x 6 x 5 | 1.6 | R-Q-X-060-10-20-1064 | 6 x 6 x 10 | 2.4 |
| R-Q-X-070-5-20-1064 | 7 x 7 x 5 | 1.6 | R-Q-X-070-10-20-1064 | 7 x 7 x 10 | 2.8 |
| R-Q-X-080-5-20-1064 | 8 x 8 x 5 | 1.6 | R-Q-X-080-10-20-1064 | 8 x 8 x 10 | 3.2 |
| R-Q-X-090-5-20-1064 | 9 x 9 x 5 | 1.6 | R-Q-X-090-10-20-1064 | 9 x 9 x 10 | 3.6 |
備注
半波電壓 (HWV) 為標(biāo)稱 ± 15%，標(biāo)準(zhǔn)消光比為 20dB、23dB、25dB、27dB 和 30dB。
未安裝的配對晶體作為標(biāo)準(zhǔn)組件提供。只需在編號中用M替代Q即可。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品還有其他尺寸和波長可供選擇。請聯(lián)系我們。
RTP晶體與BBO晶體電光開關(guān)的性能對比
下圖所表示的是: 在高重復(fù)頻率(30kHz)時, RTP晶體和BBO晶體電光調(diào)Q開關(guān)的不同動作。實驗所采用的BBO晶體開關(guān) 由一塊2.5x2.5x25mm3晶體構(gòu)成, RTP晶體開關(guān)由兩塊6x6x7mm3晶體構(gòu)成。從圖中可以看到, 在30 kHz 下, BBO晶體開關(guān)已經(jīng)出現(xiàn) 明顯的壓電振蕩現(xiàn)象, 而RTP晶體開關(guān)無振蕩現(xiàn)象。
RTP與KTP晶體性能對比
| 性 能 | KTP | RTP |
| 透光波段 (nm) | 350-4500 | 350-4500 |
| II 類相位匹配,1064nm二倍頻: | ||
| 相位匹配區(qū)間 (nm) | 980-1080 | 1050-1140 |
| 非線性光學(xué)系數(shù) (即倍頻系數(shù)) (pm/V) | ||
| d33 | 16.9 | 17.1 |
| d32 | 4.4 | 4.1 |
| d31 | 2.5 | 3.3 |
| deff | 3.34 | 2.45 |
| 相位匹配角 | 22o~25o | 58o |
| 離散角度 | 0.26o | 0.4o |
| 接收角度 | 20o | 20o |
| 溫度接收 (℃·cm) | 25 | 40 |
| 其它性能: | ||
| 非臨界1064nm OPO波長 | 1570/3300 | 1600/3200 |
| 電光系數(shù) (pm/V) | ||
| r13 | 9.5 | 12.5 |
| r23 | 15.7 | 17.1 |
| r33 | 36.3 | 39.6 |
| 介電常數(shù) (εeff) | 13 | 13 |
| 抗光損傷比值 (對KTP晶體) | 1 | 1.8 |
| Z軸電導(dǎo)率 (Ω-1·cm-1) | 10-6~10-7 | 10-11~10-12 |
| 壓電系數(shù) (C/cm2·K) | 7 x 10-9 | 4 x 10-9 |
主要電光晶體材料的性能比較
RTP屬于KTP晶體系列。RTP具有出色的電光特性和高損傷閾值，是高端激光應(yīng)用的完美解決方案。它非常適合需要高級特性的應(yīng)用，例如非潮解性、高熱穩(wěn)定性和高重復(fù)率。我們新型iRTP普克爾盒是一款將RTP優(yōu)勢帶入電光調(diào)制器市場的產(chǎn)品，專為工業(yè)激光應(yīng)用而設(shè)計。iRTP是一種標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)成解決方案，以標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)普克爾盒的價格提供高性能電光調(diào)制器。
產(chǎn)品特點
更高的損傷閾值，>1GW/cm2
<1ns快速上升下降沿，窄脈寬
非潮解材料
低吸收損耗
無振鈴效應(yīng)（至少到350kHz)
熱穩(wěn)定性好，10~0℃寬范圍穩(wěn)定使用
典型規(guī)格
| 晶體 | LiNbO3 | RTP X-cut | RTP Y-cut | KRTP | KD*P | BBO |
| 半波調(diào)制電壓 @1064nm, L=d(kV) | 9 | 8 | 8 | 7 | 9 | 48 |
| 介電常數(shù) ε | 27.9 | 11 | 11 | 11 | 48 | 8 |
| 平均功率密度(W/cm2) | 150 | 300 | 200 | 800 | 250 | ＞1000 |
| 損傷閾值(MW/cm2) | 280 | >600 | 600 | 600 | 500 | ＞1000 |
| 孔徑(mm2) | >8x8 | 2x2~15x15 | 2x2~6x6 | 2x2~6x6 | 5x5~20x20 | 1x1~12x12 |
| 消光比(dB) | >23 | 23~35 | 23~30 | 23~30 | 23~30 | ＞30 |
| 溫度穩(wěn)定性 *熱電效應(yīng) | <-20℃時 不穩(wěn)定 | -50℃~70℃ | -50℃~70℃ | -50℃~70℃ | 不穩(wěn)定 | 優(yōu)秀 |
| 振鈴效應(yīng) | 10Khz | >1MHz | >1MHz | >1MHz | 10MHz | 25MHz |
| 是否潮解 | 無 | 無 | 無 | 無 | 存在 | 存在 |
| 機(jī)械穩(wěn)定性 | 中等 | 良好 | 良好 | 良好 | 差 | 良好 |
| 孔徑 | 6x6mm, 8x8mm, 10x10mm |
| 電容 | <6pf |
| 半波電壓 | 3.3KV@1064 |
| 透過率 | ＞99% |
| 消光比 | 27dB@1064nm |
| 損傷閾值 | typically, > 1GW/cm2 |
| 調(diào)整軸 | 1軸 |
| 外型尺寸 | 柱形:直徑35mm, 長度35mm；立方形:35mmx35mmx35mm |
| 上升時間 | <1ns |
| 穩(wěn)定溫度 | 10~50℃ |
上一個產(chǎn)品
下一個產(chǎn)品
