我們新特光電的倍頻晶體是指利用光學(xué)非線性將某些輸入光的部分光功率轉(zhuǎn)換為不同波長(zhǎng)區(qū)域的輸出光，包括具有PPSLT晶體,LBO晶體,BBO倍頻晶體,KTP晶體,CLBO晶體。我們的晶體產(chǎn)品以杰出的品質(zhì)與穩(wěn)定性著稱，可接受不同尺寸及特殊要求的定制方案。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于量子信息，激光產(chǎn)業(yè)，航空航天，通信，醫(yī)療等領(lǐng)域。
我們一站式供應(yīng)各種類型的PPSLT晶體,LBO晶體,BBO倍頻晶體,KTP晶體,CLBO晶體，可提供選型、技術(shù)指導(dǎo)、安裝培訓(xùn)、個(gè)性定制等全生命周期、全流程服務(wù)，歡迎聯(lián)系我們的產(chǎn)品經(jīng)理！
CLBO晶體（CsLiB6O10）是一種非常優(yōu)秀的，能產(chǎn)生多種倍頻波長(zhǎng)的非線性晶體材料，具有很好的非線性光學(xué)特性，透光范圍175-2750nm，非線系數(shù)deff=0.95pm/V是KDP晶體的2.2倍。非常適合在紫外范圍內(nèi)產(chǎn)生諧波(例如193nm和266nm)，透射截止范圍達(dá)到180nm。與普通BBO非線性光學(xué)材料相比，CLBO晶體具有更大的光譜和溫度帶寬、更好的角度公差和更小的離散角。CLBO是倍頻（SHG）的不錯(cuò)選擇，倍頻激光性能穩(wěn)定，光束質(zhì)量好，適用于大功率Nd:YAG激光系統(tǒng)的四倍頻（FHG）。由于沒(méi)有通常在BBO晶體和KDP晶體中觀察到的雙光子吸收的缺失，CLBO對(duì)于高功率產(chǎn)生沒(méi)有飽和。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體檢測(cè)，顯微光刻技術(shù)，生物醫(yī)學(xué)，紫外雷達(dá)等領(lǐng)域。
主要特點(diǎn)
典型應(yīng)用
技術(shù)參數(shù)
| 孔徑 | 最大 15*15 mm2 |
| 長(zhǎng)度 | 最大 20 mm |
| 平整度 | λ/8 @633nm |
| 垂直度 | 最小 <10 arc min |
| 排比 | 20 弧秒arc sec |
| 劃痕/挖掘 | 最高 5/1 |
| 波前畸變 | λ/8 @633nm |
| AR 涂層 | 無(wú)涂層 |
| 吸收系數(shù) | 150 ppm/cm @1064nm |
| 激光誘導(dǎo)損傷閾值 | 29 GWcm2 @1064nm* 6.4GWcm2 @266nm* |
典型指標(biāo)
切割角度：f=45度，q=61.7度；尺寸：5x5x10mm，兩個(gè)表面：光學(xué)拋光；
注：切割角度和尺寸可定制，日本oxide不提供帶AR鍍膜的CLBO晶體。
CLBO晶體性質(zhì)和Sellmeier方程
| 波長(zhǎng)(nm) | 晶體 | 相位匹配角(deg) | 有效非線性系數(shù)(pm/V) | 角度公差(mrad – cm) | 離散角(deg) |
| 1064+532=355 | CLBO | 48.9 | 0.71 | 0.92 | 2.11 |
| BBO | 34.6 | 2.01 | 0.24 | 4.47 | |
| 532+532=266 | CLBO | 62.0 | 0.79 | 0.55 | 1.84 |
| BBO | 47.7 | 1.75 | 0.19 | 4.89 | |
| 1064+266=213 | CLBO | 68.3 | 0.95 | 0.48 | 1.66 |
| BBO | 51.1 | 1.95 | 0.13 | 5.51 |
注：PMT = 150℃ @CLBO, 27℃ @BBO
CLBO晶體存儲(chǔ)和處理
CLBO具有很高的吸濕性。因此，強(qiáng)烈建議嚴(yán)格控制操作環(huán)境的濕度，防止CLBO晶體與水反應(yīng)降解。通過(guò)將操作溫度升高至約150攝氏度，可以有效避免該問(wèn)題。為了適應(yīng)CLBO晶體的吸濕性，晶體在是真空包裝的。建議CLBO晶體包裝在使用前在干燥器中保持不開(kāi)封。一旦打開(kāi)，請(qǐng)將CLBO晶體存儲(chǔ)在單獨(dú)的烤箱或類似的環(huán)境中。
PPSLT是一種周期極化的非線性扇型晶體，扇型晶體具有高轉(zhuǎn)換效率、可調(diào)諧激光器SHG、可調(diào)諧OPO/OPG、生成瓦級(jí)可見(jiàn)光、新波長(zhǎng)的可行性試驗(yàn)等特點(diǎn)，扇型晶體可用于UV、可見(jiàn)光- MIR范圍。扇形PPSLT扇出結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換效率低于單周期器件，具體取決于光束直徑的大小。
產(chǎn)品特點(diǎn)
技術(shù)數(shù)據(jù)
PPSLT 提供各種創(chuàng)新設(shè)備和設(shè)計(jì)：
PPSLT 波導(dǎo)： PPSLT內(nèi)部的激光寫(xiě)入波導(dǎo)
典型應(yīng)用
PPSLT DFG（差頻生成）*1：PPSLT 是一種強(qiáng)大的非線性光學(xué)材料，適用于從紫外線到中紅外的寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
PPSLT SFG (和頻生成)*2：PPSLT 是一種強(qiáng)大的非線性光學(xué)材料，適用于從紫外線到中紅外的寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
注：*1 差頻產(chǎn)生（DFG）是產(chǎn)生兩個(gè)不同頻率之間的差頻。*2 和頻產(chǎn)生 (SFG) 是一種非線性光學(xué)過(guò)程，基于頻率 ω1 和 ω2 的兩個(gè)輸入光子的湮滅，以及頻率 ω3 的一個(gè)光子的同時(shí)產(chǎn)生。 （ω3=ω1+ω2）
用于 OPO 的 PPSLT：PPSLT 是一種流行的非線性光學(xué)材料，適用于從紫外線到中紅外的寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
我們提供以下類型的 PPSLT OPO：
PPSLT（周期性極化化學(xué)計(jì)量鈮酸鋰）是一種強(qiáng)大的非線性光學(xué)材料，適用于需要幾瓦輸出功率的緊湊型固體激光器。二次諧波產(chǎn)生 (SHG) 是一種非線性光學(xué)過(guò)程，其中泵浦波長(zhǎng)產(chǎn)生一個(gè)新的波長(zhǎng)，該波長(zhǎng)是入射波長(zhǎng)的一半或頻率的兩倍。
使用波長(zhǎng)為 1064nm 的 Nd:YAG 時(shí)，SHG 將在 532nm 處呈現(xiàn)綠色。 
應(yīng)用實(shí)例
晶體標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
| 型號(hào) | 厚度（mm） | 周期性 | 相位匹配條件@約50(SHG波長(zhǎng)) | |
| ∧a (um) | ∧b (um) | |||
| A | 0.5 | 5.9 | 6.5 | 483~497 |
| B | 6.4 | 7.0 | 496~509 | |
| C | 6.9 | 7.6 | 508~523 | |
| D | 7.5 | 8.2 | 522~536 | |
| E | 8.1 | 8.9 | 535~551 | |
| F | 8.8 | 9.7 | 550~568 | |
| G | 9.6 | 10.6 | 567~585 | |
| H | 10.5 | 11.6 | 584~605 | |
| I | 11.5 | 12.7 | 604~625 | |
| J | 0.8 | 12.6 | 13.9 | 624~647 |
| K | 13.8 | 15.2 | 646~670 | |
| L | 15.1 | 16.7 | 669~697 | |
| M | 16.6 | 18.3 | 696~725 | |
| N | 18.2 | 20.1 | 724~757 | |
| O | 20.0 | 22.1 | 756~794 | |
| P | 1.0 | 22.0 | 24.3 | 793~835 |
| Q | 24.2 | 26.7 | 834~886 | |
| R | 26.6 | 29.4 | 885~954 | |
| S | 29.3 | 32.4 | 953~1055 | |
| T | 32.3 | 35.7 | 1054~(1255) | |
| U | 35.6 | 39.3 | ||
典型規(guī)格
| 孔徑 | 0.5 mm*2mm |
| 長(zhǎng)度 | 最大40 mm |
| 透明度范圍 | 300nm -5,000nm |
| 注意：以上值取決于設(shè)備設(shè)計(jì)和周期 | |
LBO(三硼酸鋰 LiB3O5)是一種具有非常優(yōu)良品質(zhì)的非線性光學(xué)晶體，非常適合各種非線性光學(xué)應(yīng)用。LBO晶體兼具寬透明度、中等程度的高非線性耦合、高損傷閾值以及良好的化學(xué)和機(jī)械性能。廣泛應(yīng)用于全固態(tài)激光、電光、醫(yī)學(xué)、微加工的二倍頻，三倍頻，OPO等研究和應(yīng)用領(lǐng)域。目前國(guó)際上最廣泛的用途是用于將中高功率1064nm激光二倍頻至532nm綠光，或是將1064nm激光三倍頻至355nm紫外激光以及用于OPO系統(tǒng)上。
LBO晶體特點(diǎn)
LBO晶體的特殊優(yōu)勢(shì)
利用ZYGO干涉儀進(jìn)行粗糙度測(cè)量
我們提供的LBO的標(biāo)準(zhǔn)粗糙度為3? RMS，而行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)LBO粗糙度為9-10? RMS。
無(wú)與倫比的表面吸收
表面超拋光LBO，最大限度地減少了降低表面吸收率的粗糙度，能承受更高功率，具有更長(zhǎng)的使用壽命。
極低的體積吸收
體積吸收會(huì)影響晶體的長(zhǎng)期老化，這是決定晶體壽命的關(guān)鍵因素。
IPHT (355/1070) 的 3 光子吸收測(cè)試結(jié)果:
| 樣例 | 1070nm波長(zhǎng)下的吸收系數(shù)(ppm/cm) | 樣例 | 355nm波長(zhǎng)下的吸收系數(shù)-低強(qiáng)度(ppm/cm) |
| 樣品1 | (14.9 ± 1.5) | 樣品1 | (5.5 ± 1.25) |
| 樣品2 | (15.0 ± 1.5) | 樣品2 | (5.0 ± 1) |
| 參考樣品3 | (106.5 ± 10) | 參考樣品3 | (4470 ± 355) |
| 參考樣品4 | (110.4 ± 10) | 參考樣品4 | (4291 ± 355) |
更高的損傷閾值
SPICA和Lumibird獨(dú)立測(cè)量的測(cè)試結(jié)果:表面超拋光LBO晶體在355nm和532nm波段顯示出了極高的LIDT。
典型規(guī)格
| 口徑 | 高達(dá)100x100mm2 |
| 長(zhǎng)度 | 沿x軸高達(dá)80mm |
| 平整度 | 高達(dá)λ/10@633nm |
| 粗糙度 | <3? RMS |
| 平行度 | 高達(dá)5arc sec. |
| 垂直度 | 高達(dá)5arc min. |
| 劃痕 | 2/1 至 0/0，可根據(jù)客戶要求定制 |
| AR鍍膜 | 雙帶R<0.1% |
| 吸收系數(shù) | 體積(1064nm)2-4ppm/cm 表面(1064nm)<1-2ppm 體積(532nm)<8ppm/cm 表面(532nm)<1-2ppm |
| 波前畸變控制 | λ/8@633nm |
| 損傷閾值 | 1800MW/cm2 @ 1064 nm 1200MW/cm2 @ 532 nm 1000MW/cm2 @ 355 nm For 10 ns pulses @ 10 Hz |
LBO晶體的主要應(yīng)用
二倍頻方面：
三倍頻方面：
BBO晶體，全稱"低溫相偏硼酸鋇（β-BaB2O4）"，是一種新型的多功能紫外倍頻晶體，是世界上公認(rèn)的優(yōu)秀的二階非線性光學(xué)晶體之一，不僅具有優(yōu)異的非線性光學(xué)效應(yīng)，而且還有突出的電光效應(yīng)，因而具有極高的應(yīng)用價(jià)值，非常適合用于非線性激光相互作用，可應(yīng)用于波長(zhǎng)190nm~1780nm的SHG、SFD、 OPO和電光調(diào)Q等，由于BBO具有較低的潮解性，我們使用了一種有效的保護(hù)鍍膜(P-coating)來(lái)防止晶體受潮。
BBO晶體具有較大的相位匹配范圍和從紫外到近紅外光譜的寬廣透明度范圍，其倍頻轉(zhuǎn)換效率比較高，并具有很高的激光損傷閾值。在廣泛的頻率轉(zhuǎn)換過(guò)程中起到關(guān)鍵作用，在深紫外和超快領(lǐng)域的應(yīng)用能夠變革性地推動(dòng)下一代超高精度加工的發(fā)展，是Nd:YAG激光器二倍頻、三倍頻、四倍頻的高效NLO晶體，也是213nm五倍頻的最佳NLO晶體。在213nm (5HG)下，SHG的轉(zhuǎn)換效率超過(guò)70%，THG的轉(zhuǎn)換效率超過(guò)60%，4HG的轉(zhuǎn)換效率超過(guò)50%，輸出功率達(dá)到200mw。
產(chǎn)品特點(diǎn)
主要的應(yīng)用場(chǎng)景
典型規(guī)格
| 通光口徑 | 高達(dá)15x15 mm2 |
| 長(zhǎng)度 | 高達(dá)30 mm |
| 平面度 | 高達(dá)λ/10 @633nm |
| 垂直度 | 高達(dá)5 arc min. |
| 平行度 | 高達(dá)5 arc sec. |
| 劃痕 | 10/5 |
| 鍍膜 | AR/AR， DBAR，雙帶 R < 0.2 % |
| 波前失真 | < 50ppm cm-1 @1064nm；< 100ppm cm-1 @532nm |
| 波前畸變 | λ/8 @633nm |
| 激光損傷閾值 | 1 GW/cm2 @1064 nm；500 MW/cm2 @532 nm，10 ns脈沖 |
我們可以根據(jù)客戶要求定制晶體尺寸和鍍膜。
我們提供以下BBO
KTP晶體(磷酸鈦氧鉀, KTiOPO4)是一種優(yōu)良的非線性晶體，KTP可用于激光倍頻、和頻、差頻、參量振蕩、光波導(dǎo)器件和電光調(diào)制器，最常用于倍頻Nd:YAG及其他腔內(nèi)與腔外倍頻的摻Nd晶體的激光器，特別是在中低功率密度的激光器中，用于制作Nd紅綠激光器二倍頻(SHG)器件，該晶體對(duì)波長(zhǎng)1064nm倍頻效率可達(dá)80%左右，在900℃下不分解，晶體表面易拋光加工。在逐步取代可見(jiàn)光染料激光和可調(diào)藍(lán)寶石激光器。廣泛使用實(shí)驗(yàn)室和醫(yī)學(xué)系統(tǒng), 射程探測(cè)器，激光雷達(dá)，光通信和工業(yè)激光系統(tǒng)。
主要特點(diǎn)
常見(jiàn)應(yīng)用
典型規(guī)格
| 化學(xué)公式 | KTiOPO4 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 單疇晶體 |
| 波前失真 | α<50ppm cm-1@1064nm，α<2000ppm cm-1@532nm |
| 損傷閾值 | 600MW/cm2(帶涂層)@1064nm,10ns脈沖 |
| 孔徑 | 高達(dá)30 x 30 mm2 |
| 長(zhǎng)度 | 沿X軸高達(dá)40mm |
| 鍍膜 | 雙帶 R < 0.2% |
| 平面度 | λ/10 |
| 平行度 | 5 arc sec |
| 垂直度 | 5 arc min |
| 劃痕 | 10/5 |
注：接受不同尺寸規(guī)格的KTP晶體定制。
所謂Gray Track Effect(灰跡效應(yīng))指的是非線性晶體在受到高功率、高重復(fù)率激光脈沖或連續(xù)波激光照射時(shí)，在晶體內(nèi)部出現(xiàn)灰色的損傷痕跡，灰跡的形成過(guò)程是累積性的，會(huì)導(dǎo)致倍頻轉(zhuǎn)換性能下降。KTP 晶體中的誘導(dǎo)色心在可見(jiàn)光和近紅外波段(尤其是 532nm波段)具有廣泛的光吸收，因此會(huì)產(chǎn)生灰軌。
HGTR KTP晶體，由于在其生長(zhǎng)控制過(guò)程中采用了特有的助熔劑和熱處理技術(shù)等先進(jìn)的工藝方法，與普通熔鹽法(Flux method)生長(zhǎng)的KTP晶體相比，具有高達(dá)10倍的抗灰跡能力。 眾所周知，普通熔鹽法KTP晶體，應(yīng)用于高功率密度激光頻率轉(zhuǎn)換時(shí)，因其本身的灰跡和光折變效應(yīng)，輸出功率會(huì)在很短的時(shí)間內(nèi)快速下降， 而HGTR KTP晶體則可以長(zhǎng)期穩(wěn)定地應(yīng)用于高功率激光的頻率轉(zhuǎn)換，而且因其良好的溫度穩(wěn)定性和較高的轉(zhuǎn)換效率，具有比LBO晶體更優(yōu)越的性價(jià)比。
HGTR KTP晶體適用于300nm~5500nm區(qū)間的激光頻率轉(zhuǎn)換，可在1000~1400nm的SHG中實(shí)現(xiàn)更高的平均功率密度。由于具有較高的抗光損傷閾值和非線性光學(xué)系數(shù)，使其成為下一代固體激光器中最具潛力的倍頻器件，尤其是在可見(jiàn)光波段的應(yīng)用中，可以產(chǎn)生高達(dá)數(shù)瓦的倍頻光輸出，為激光投影系統(tǒng)所需的高性能價(jià)格比，高可靠性，高光學(xué)質(zhì)量要求的激光光源提供了優(yōu)質(zhì)的解決方案。
產(chǎn)品特點(diǎn)
常見(jiàn)應(yīng)用
典型規(guī)格
| 口徑 | 高達(dá)8mmx8mm |
| 長(zhǎng)度 | 高達(dá)12mm |
| 平整度 | 入/10 |
| 平行度 | 10 arc sec |
| 垂直度 | 10 arc min |
| 劃痕 | 10/5 |
| 鍍膜 | 雙帶 R<0.1% |
| 波前失真 | <50ppm/cm@1064nm；<200ppm/cm@532nm |
| 輸出平均功率密度 | 高達(dá)5kW/cm2@ 532nm |
| 損傷閾值 | 600MW/cm2@1064nm/10ns |
HGTR KTP晶體的灰跡效應(yīng)
下圖所表示的是當(dāng)功率密度為10kW/cm2的532nm綠光射入不同KTP晶體前后，各種晶體對(duì)1064nm紅外光吸收增長(zhǎng)情況的測(cè)試結(jié)果 。
由以上測(cè)試曲線所表示的結(jié)果，HGTR KTP晶體本身的紅外吸收，及其在綠光照射下所導(dǎo)致的紅外吸收增長(zhǎng)即所謂的灰跡效應(yīng)，都大大地低于普通溶鹽法和水熱法生長(zhǎng)的KTP晶體。HGTR KTP元件的初始紅外吸收率較低，受綠光的影響也較小，HGTR KTP 將比普通通量生長(zhǎng)晶體或熱液生長(zhǎng)晶體具有更高的灰跡電阻。
綠光誘導(dǎo)紅外吸收測(cè)試圖
HGTR KTP晶體塊體在532nm輻射下的吸收隨時(shí)間變化的動(dòng)態(tài)。該參數(shù)表示晶體的效能和灰度跟蹤電阻。這表明晶體的壽命--數(shù)值越小，預(yù)期壽命越長(zhǎng)。
波長(zhǎng)1064nm的涂層HGTR KTP的吸收?qǐng)D
上一個(gè)產(chǎn)品
下一個(gè)產(chǎn)品
